Toshiba lancia il piccolo e sottile Common

Jun 07, 2023

KAWASAKI, Giappone, 18 maggio 2023--(BUSINESS WIRE)--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") ha lanciato "SSM14N956L", un MOSFET a canale N a drain comune da 12 V con una corrente nominale di 20 A, per utilizzo nei circuiti di protezione della batteria nei pacchi batteria agli ioni di litio (Li-ion), come quelli per i dispositivi mobili. Le spedizioni iniziano oggi.

Questo comunicato stampa contiene elementi multimediali. Visualizza il comunicato completo qui: https://www.businesswire.com/news/home/20230517005369/en/

Toshiba: SSM14N956L, un MOSFET a drain comune piccolo e sottile con resistenza On molto bassa (grafica: Business Wire)

I pacchi batteria agli ioni di litio si affidano a circuiti di protezione estremamente robusti per ridurre la generazione di calore durante la carica e lo scaricamento e per migliorare la sicurezza. Questi circuiti devono presentare un basso consumo energetico e un packaging ad alta densità, richiedendo MOSFET piccoli e sottili e che forniscano una bassa resistenza On.

SSM14N956L utilizza il microprocesso Toshiba, così come il già rilasciato SSM10N954L. Ciò garantisce sia una bassa perdita di potenza, grazie alle caratteristiche di bassa resistenza On leader del settore[1], sia un basso consumo in standby, ottenuto da caratteristiche di bassa corrente di dispersione gate-source leader del settore[1]. Queste qualità aiutano a prolungare le ore di funzionamento della batteria. Il nuovo prodotto utilizza anche un nuovo package piccolo e sottile, TCSPED-302701 (2,74 mm x 3,0 mm, t = 0,085 mm (tip.)).

Toshiba continuerà a sviluppare prodotti MOSFET per circuiti di protezione in dispositivi alimentati da batterie agli ioni di litio.

Applicazioni

Elettronica di consumo e dispositivi per ufficio e personali con batteria agli ioni di litio, inclusi smartphone, tablet, power bank, dispositivi indossabili, console di gioco, spazzolini da denti elettrici, fotocamere digitali compatte, fotocamere reflex digitali, ecc.

Caratteristiche

Leader del settore[1] bassa resistenza On: RSS(ON)=1,1 mΩ (tip.) @VGS=3,8 V

Bassa corrente di dispersione gate-source leader del settore[1]: IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V

Contenitore TCSPED-302701 piccolo e sottile: 2,74 mm x 3,0 mm, t=0,085 mm (tip.)

Struttura a drenaggio comune che può essere facilmente utilizzata nei circuiti di protezione della batteria

Nota:[1]: tra prodotti con le stesse valutazioni. A maggio 2023, sondaggio Toshiba.

Specifiche principali

(Se non diversamente specificato, Ta=25°C)

Numero di parte

SSM14N956L

SSM10N954L[2]

Configurazione

Drain comune a canale N

Valutazioni massime assolute

Tensione sorgente-sorgente VSSS (V)

12

Tensione gate-source VGSS (V)

±8

Corrente sorgente (CC) IS (A)

20.0

13.5

Caratteristiche elettriche

Corrente di dispersione gate-source IGSS

massimo (μA)

@VGS＝ ±8V

±1

Fonte-sourceOn-resistenza RSS(ON)

tip. (mΩ)

@VGS＝4,5 V

1.00

2.1

@VGS＝3,8 V

1.10

2.2

@VGS＝3.1V

1.25

2.4

@VGS＝2,5 V

1,60

3.1

Pacchetti

Nome

TCSPED-302701

TCSPAC-153001

Dimensioni tip. (mm)

2,74x3,

t=0,085

1,49x2,98,

t=0,11

Controllo e disponibilità del campione

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Nota:[2] Prodotto già rilasciato.

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Informazioni su Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, fornitore leader di semiconduttori avanzati e soluzioni di storage, si avvale di oltre mezzo secolo di esperienza e innovazione per offrire a clienti e partner commerciali eccezionali semiconduttori discreti, LSI di sistema e prodotti HDD. I 21.500 dipendenti dell'azienda in tutto il mondo condividere la determinazione a massimizzare il valore del prodotto e promuovere una stretta collaborazione con i clienti nella co-creazione di valore e di nuovi mercati. Con un fatturato annuo che si avvicina agli 800 miliardi di yen (6,1 miliardi di dollari), Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation non vede l'ora di costruire e contribuire a un futuro migliore per le persone di tutto il mondo. Scopri di più su https://toshiba.semicon-storage.com /ap-it/top.html